华为在其网站上的一篇文章中证实了华为在制造EUV（极紫外辐射或高能紫外辐射）光刻系统中使用的光源组件方面的突破，该系统用于制造亚10纳米节点的高端处理器。
中国科技巨头华为在其网站上发布了一段视频，支持其EUV光刻技术突破的说法，还在官方网站上声称已“进入游戏”。
中国科技新闻媒体快科技援引中国国家知识产权局网站信息称，华为技术有限公司于11月中旬提交了一项EUV光刻技术及其关键部件的专利申请。专利申请号为202110524685X。
华为的申请还没有被批准。很难判断华为是否已经具备了生产整个EUV设备的能力。华为在其网站上表示，最新的专利申请显示了使用EUV光刻技术来改进集成电路和芯片组的制造。
“这一过程将共同形成一种干涉图样，随着新的光线不断变化。因此，这将平衡光线曝光，并将解决芯片开发中经常出现的光线不均匀问题。”
除了均匀的光线外，这种机制还将简化集成电路或微芯片组中组装的纳米粒子的生成和形成。
“此外，光刻技术主要完成微纳米图形的传输、处理和创建。它还会验证芯片组中配备的所有元件，并检查电路中的适当尺寸和其他细节。”
5G关键技术之超密集组网（UDN）的一份报告称，除华为外中国本土的研究机构，如清华大学，也提出了EUV光刻相关技术，以克服光源技术障碍，掌握了可用于EUV光刻的新光源。中国科学院也掌握了镜像系统技术。
尽管EUV光源技术取得了突破，但EUV机的制造并不容易，因为一台EUV机中有超过10万个组件，需要庞大供应链的合作。这是任何一个国家试图从零开始建造设备，没有其他组件来源的帮助的主要障碍。
过去几年，华为一直在悄悄发展国内半导体生态系统，试图对抗美国的技术出口制裁，这些制裁使华为无法获得先进芯片。它从EDA、设备和材料到代工、测试和包装在半导体供应链上投资了广泛的公司，。
华为正在申请专利的技术是试图解决EUV光刻机使用的光源光强不均匀的问题。根据公开的信息，本专利申请提供了一种反射器、光刻装置及其控制方法，涉及光学领域，可解决因形成固定干涉图样而导致相干光不能均质化的问题，在EUV光刻装置的基础上进行优化，从而达到均质化的目的。
UDN的报告称，华为在开发EUV光刻技术的同时，也在开发“绕过”光刻技术。例如，它正在绕过美国的硅晶圆垄断技术，转而采用光电晶圆等做法。
有趣的是，作为全球唯一的EUV设备供应商，总部设在荷兰埃因霍温（Eindhoven）的全球最大半导体设备制造商之一，ASML公司在2016年申请了类似的专利(US2016007434A1)，但其专利权范围不同。
两项专利的不同之处在于，华为使用旋转照明装置来减少同一区域的亮或暗图案的数量，而ASML的专利允许同一束光被分割并入射到不同的点，从而在相对可移动和固定的平板和反射器组上产生均匀的光。
ASML的EUV机器使用世界领先的准分子激光源提供商Cymer的光源设备。Cymer总部位于加州圣地亚哥，于2013年被ASML收购。
ASML花了17年时间开发出第一代多图EUV设备，到目前为止只有台积电、三星、美光、英特尔和SK海力士使用。目前，中国被禁止进入EUV，但可以进口用于生产28nm及以上成熟节点芯片的DUV（纵深紫外辐射）。
据ASML官网介绍，其EUV技术使用波长为13.5nm的光，比DUV光短14倍以上。
激光产生的等离子体（LPP）源，直径约25微米的熔融锡液滴以每秒70米的速度从发电机中喷射出来。水滴下落时，首先受到低强度激光脉冲的冲击，将其压扁成饼状。然后，更强大的激光脉冲使扁平的液滴蒸发，产生等离子体，发射EUV光。为了产生足够的光来制造微芯片，这个过程每秒要重复5万次。
ASML在其2022年第三季度财报电话会议上宣布，将继续向中国输送DUV光刻设备，并将产能增加到90个EUV系统和600个DUV系统(2025-2026年)，并将其High-NA EUV产能增加到20个系统(2027-2028年)。
投稿：tougao@arinchina.com 新闻来源：DIGITIMES Asia
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